SIS932EDN-T1-GE3

Name: SIS932EDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212

В производствеPowerPAK® 1212-8 DualАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	22mOhm @ 10A, 4.5V
Базовый Part Number	SIS932
Конфигурация	2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 15V
Производитель	Vishay Siliconix
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позиции	В производстве
Серия	TrenchFET®
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA

Напряжение сток-исток	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Power - Max	2.6W (Ta), 23W (Tc)

Package / Case	PowerPAK® 1212-8 Dual
Корпус производителя	PowerPAK® 1212-8 Dual

Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)