SIS890ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS890ADN-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK

В производствеPowerPAK® 1212-8Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs25.5mOhm @ 10A, 10V
Базовый Part NumberSIS890
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1330 pF @ 50 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.6W (Ta), 39W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® 1212-8
Корпус производителяPowerPAK® 1212-8

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)