SIS888DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS888DN-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK

В производствеPowerPAK® 1212-8SАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs58mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds420 pF @ 75 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияThunderFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20.2A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность52W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® 1212-8S
Корпус производителяPowerPAK® 1212-8S

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TA)