SIS126DN-T1-GE3

Name: SIS126DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK

В производствеPowerPAK® 1212-8Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.2mOhm @ 10A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1402 pF @ 40 V
Производитель	Vishay Siliconix
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позиции	В производстве
Серия	TrenchFET® Gen IV
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA

Напряжение сток-исток	80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Ta), 45.1A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность	3.7W (Ta), 52W (Tc)

Package / Case	PowerPAK® 1212-8
Корпус производителя	PowerPAK® 1212-8

Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)