SIRA90ADP-T1-GE3

Name: SIRA90ADP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 71A/334A PPAK

Снят с производстваPowerPAK® SO-8Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.78mOhm @ 20A, 10V
Базовый Part Number	SIRA90
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9120 pF @ 15 V
Производитель	Vishay Siliconix
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Discontinued at
Серия	TrenchFET®
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	+20V, -16V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA

Напряжение сток-исток	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	71A (Ta), 334A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность	6.3W (Ta), 104W (Tc)

Рабочая температура	-55°C~150°C(TJ)