SIRA66DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIRA66DP-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

В производствеPowerPAK® SO-8Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3mOhm @ 15A, 10V
Базовый Part NumberSIRA66
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs66 nC @ 10 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+20V, -16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность62.5W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SO-8
Корпус производителяPowerPAK® SO-8

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)