SIR872ADP-T1-GE3

Name: SIR872ADP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

В производствеPowerPAK® SO-8Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 20A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1286 pF @ 75 V
Производитель	Vishay Siliconix
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позиции	В производстве
Серия	TrenchFET®
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA

Напряжение сток-исток	150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	53.7A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность	6.25W (Ta), 104W (Tc)

Package / Case	PowerPAK® SO-8
Корпус производителя	PowerPAK® SO-8

Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)