SIR696DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR696DP-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8

В производствеPowerPAK® SO-8Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.5mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1410 pF @ 75 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
СерияThunderFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток125 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность104W (Tc)

Механические

Package / CasePowerPAK® SO-8
Корпус производителяPowerPAK® SO-8

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)