SIR616DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR616DP-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8

В производствеPowerPAK® SO-8Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs50.5mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1450 pF @ 100 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияThunderFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20.2A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность52W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CasePowerPAK® SO-8
Корпус производителяPowerPAK® SO-8

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)