SIHK045N60EF-T1GE3

Vishay Siliconix

SIHK045N60EF-T1GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

В производстве8-PowerBSFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 17A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4685 pF @ 100 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияEF
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C47A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность278W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerBSFN
Корпус производителяPowerPAK®10 x 12

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)