SIHJ690N60E-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIHJ690N60E-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 5.6A PPAK SO-8

В производствеPowerPAK® SO-8Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds347 pF @ 100 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияE
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.6A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность48W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SO-8
Корпус производителяPowerPAK® SO-8

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)