SIHH26N60EF-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIHH26N60EF-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 24A PPAK 8 X 8

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs141mOhm @ 13A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2744 pF @ 100 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность202W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителяPowerPAK® 8 x 8

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)