Общие
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 73mOhm @ 22A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 278 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5892 pF @ 100 V |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Статус позиции | В производстве |
| Серия | E |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |