SIHG17N60D-E3

Vishay Siliconix

SIHG17N60D-E3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs340mOhm @ 8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1780 pF @ 100 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность277.8W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247AC

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)