SIHF22N60E-E3

Name: SIHF22N60E-E3
Brand: Vishay Siliconix

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 21A TO220

В производствеTO-220-3 Full PackАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	180mOhm @ 11A, 10V
Базовый Part Number	SIHF22
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1920 pF @ 100 V
Производитель	Vishay Siliconix
Тип монтажа	Through Hole
Product Status	Active
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

Напряжение сток-исток	600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	21A (Tc)