SIDR392DP-T1-GE3

Name: SIDR392DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK

В производствеPowerPAK® SO-8Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.62mOhm @ 20A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9530 pF @ 15 V
Производитель	Vishay Siliconix
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позиции	В производстве
Серия	TrenchFET® Gen IV
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	+20V, -16V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA

Напряжение сток-исток	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	82A (Ta), 100A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность	6.25W (Ta), 125W (Tc)

Package / Case	PowerPAK® SO-8
Корпус производителя	PowerPAK® SO-8DC

Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)