SIB800EDK-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIB800EDK-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 1.5A PPAK SC75-6

УстаревшийPowerPAK® SC-75-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs225mOhm @ 1.6A, 4.5V
Базовый Part NumberSIB800
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.7 nC @ 4.5 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияLITTLE FOOT®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±6V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность1.1W (Ta), 3.1W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SC-75-6
Корпус производителяPowerPAK® SC-75-6

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)