SIB455EDK-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIB455EDK-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6

УстаревшийPowerPAK® SC-75-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 5.6A, 4.5V
Базовый Part NumberSIB455
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 8 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.4W (Ta), 13W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SC-75-6
Корпус производителяPowerPAK® SC-75-6

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)