Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 4A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | TrenchFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta), 6A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.9W (Ta), 10W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | PowerPAK® SC-75-6 |
| Корпус производителя | PowerPAK® SC-75-6 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|