Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 3.6A, 4.5V |
|---|---|
| Базовый Part Number | SIA921 |
| Конфигурация | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | TrenchFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 20V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
| Power - Max | 7.8W |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Корпус производителя | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|