SIA850DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA850DJ-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 190V 950MA PPAK

УстаревшийPowerPAK® SC-70-6 DualАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds90 pF @ 100 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияLITTLE FOOT®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток190 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C950mA (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность1.9W (Ta), 7W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SC-70-6 Dual
Корпус производителяPowerPAK® SC-70-6 Dual

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)