SIA817EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA817EDJ-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6

В производствеPowerPAK® SC-70-6 DualАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 3A, 10V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 15 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияLITTLE FOOT®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность1.9W (Ta), 6.5W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SC-70-6 Dual
Корпус производителяPowerPAK® SC-70-6 Dual

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)