SIA485DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA485DJ-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70

В производствеPowerPAK® SC-70-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.6Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds155 pF @ 75 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.6A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность15.6W (Tc)

Механические

Package / CasePowerPAK® SC-70-6
Корпус производителяPowerPAK® SC-70-6

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)