SIA477EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA477EDJ-T1-GE3

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6

В производствеPowerPAK® SC-70-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 7A, 4.5V
Базовый Part NumberSIA477
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs87 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2970 pF @ 6 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SC-70-6
Корпус производителяPowerPAK® SC-70-6

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)