SIA459EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA459EDJ-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6

В производствеPowerPAK® SC-70-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 5A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds885 pF @ 10 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.9W (Ta), 15.6W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CasePowerPAK® SC-70-6
Корпус производителяPowerPAK® SC-70-6

Среда

Рабочая температура-50°C ~ 150°C (TJ)