SIA456DJ-T3-GE3

Vishay Siliconix

SIA456DJ-T3-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK

В производствеPowerPAK® SC-70-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds350 pF @ 100 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.5W (Ta), 19W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SC-70-6
Корпус производителяPowerPAK® SC-70-6

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)