SIA425EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA425EDJ-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

УстаревшийPowerPAK® SC-70-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Базовый Part NumberSIA425
FET TypeP-Channel
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.9W (Ta), 15.6W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SC-70-6
Корпус производителяPowerPAK® SC-70-6

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)