Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.8mOhm @ 10.8A, 4.5V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1380 pF @ 6 V |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Статус позиции | Устаревший |
| Серия | TrenchFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 12 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
|---|---|
| Корпус производителя | PowerPAK® SC-70-6 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|