SIA108DJ-T1-GE3

Name: SIA108DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK

В производствеPowerPAK® SC-70-6Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	38mOhm @ 4A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	545 pF @ 40 V
Производитель	Vishay Siliconix
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Серия	TrenchFET® Gen IV
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

Напряжение сток-исток	80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.6A (Ta), 12A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность	3.5W (Ta), 19W (Tc)

Рабочая температура	-55°C~150°C(TJ)