SI9933CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI9933CDY-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Базовый Part NumberSI9933
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds665pF @ 10V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A
Power - Max3.1W

Механические

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOIC

Среда

Рабочая температура-50°C ~ 150°C (TJ)