Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | SI8900 |
|---|---|
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | TrenchFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1.1mA |
| Напряжение сток-исток | 20V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A |
| Power - Max | 1W |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 10-UFBGA, CSPBGA |
| Корпус производителя | 10-Micro Foot™ CSP (2x5) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|