SI8805EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

SI8805EDB-T2-E1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT

Устаревший4-XFBGA, CSPBGAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs68mOhm @ 1.5A, 4.5V
Базовый Part NumberSI8805
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 4.5 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±5V
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.2A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность500mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case4-XFBGA, CSPBGA
Корпус производителя4-Microfoot

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)