SI8473EDB-T1-E1

Vishay Siliconix

SI8473EDB-T1-E1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT

Устаревший4-XFBGA, CSPBGAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs41mOhm @ 1A, 4.5V
Базовый Part NumberSI8473
FET TypeP-Channel
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.1W (Ta), 2.7W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case4-XFBGA, CSPBGA
Корпус производителя4-Microfoot

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)