Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 1A, 4.5V |
|---|---|
| Базовый Part Number | SI8409 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 4.5 V |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | TrenchFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.47W (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Корпус производителя | 4-Microfoot |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|