SI8402DB-T1-E1

Vishay Siliconix

SI8402DB-T1-E1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP

Устаревший4-XFBGA, CSPBGAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs37mOhm @ 1A, 4.5V
Базовый Part NumberSI8402
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26 nC @ 4.5 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.3A (Ta)

Механические

КорпусCut Tape (CT)
Package / Case4-XFBGA, CSPBGA
Корпус производителя4-Microfoot