SI7972DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7972DP-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8

В производствеPowerPAK® SO-8 DualАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 11A, 10V
Базовый Part NumberSI7972
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1050pF @ 30V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)
Power - Max22W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CasePowerPAK® SO-8 Dual
Корпус производителяPowerPAK® SO-8 Dual

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)