SI7949DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7949DP-T1-GE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8

В производствеPowerPAK® SO-8 DualАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs64mOhm @ 5A, 10V
Базовый Part NumberSI7949
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 10V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.2A
Power - Max1.5W

Механические

Package / CasePowerPAK® SO-8 Dual
Корпус производителяPowerPAK® SO-8 Dual

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)