SI7858ADP-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7858ADP-T1-E3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8

Снят с производстваPowerPAK® SO-8Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.6mOhm @ 29A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5700 pF @ 6 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииLast Time Buy
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.9W (Ta)

Механические

Package / CasePowerPAK® SO-8
Корпус производителяPowerPAK® SO-8

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)