SI7462DP-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7462DP-T1-E3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8

УстаревшийPowerPAK® SO-8Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 4.1A, 10V
Базовый Part NumberSI7462
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 10 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A (Ta)

Механические

КорпусCut Tape (CT)
Package / CasePowerPAK® SO-8
Корпус производителяPowerPAK® SO-8