SI7450DP-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7450DP-T1-E3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8

В производствеPowerPAK® SO-8Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 4A, 10V
Базовый Part NumberSI7450
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 10 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.2A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.9W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SO-8
Корпус производителяPowerPAK® SO-8

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)