SI7425DN-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7425DN-T1-E3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8

УстаревшийPowerPAK® 1212-8Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 12.6A, 4.5V
Базовый Part NumberSI7425
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 4.5 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 300µA

Электрические

Напряжение сток-исток12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.3A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.5W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® 1212-8
Корпус производителяPowerPAK® 1212-8

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)