SI6913DQ-T1-BE3

Vishay Siliconix

SI6913DQ-T1-BE3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP

В производстве8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 5.8A, 4.5V
Базовый Part NumberSI6913
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28nC @ 4.5V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 400µA

Электрические

Напряжение сток-исток12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.9A (Ta)
Power - Max830mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Корпус производителя8-TSSOP

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)