SI6467BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

SI6467BDQ-T1-E3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP

Устаревший8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs12.5mOhm @ 8A, 4.5V
Базовый Part NumberSI6467
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70 nC @ 4.5 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id850mV @ 450µA

Электрические

Напряжение сток-исток12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.8A (Ta)

Механические

КорпусCut Tape (CT)
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Корпус производителя8-TSSOP