SI6463BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

SI6463BDQ-T1-E3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

Устаревший8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 7.4A, 4.5V
Базовый Part NumberSI6463
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 5 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.2A (Ta)

Механические

КорпусCut Tape (CT)
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Корпус производителя8-TSSOP