SI6423DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

SI6423DQ-T1-E3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP

В производстве8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Базовый Part NumberSI6423
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs110 nC @ 5 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 400µA

Электрические

Напряжение сток-исток12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.2A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.05W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Корпус производителя8-TSSOP

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)