Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.8mOhm @ 10A, 4.5V |
|---|---|
| Базовый Part Number | SI6423 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 168 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5875 pF @ 10 V |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | TrenchFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 20 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.3A (Ta), 12.5A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.5W (Ta), 2.2W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Корпус производителя | 8-TSSOP |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|