SI5902BDC-T1-E3

Vishay Siliconix

SI5902BDC-T1-E3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

Снят с производства8-SMD, Flat LeadsАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 3.1A, 10V
Базовый Part NumberSI5902
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds220pF @ 15V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииLast Time Buy
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)
Power - Max3.12W

Механические

Package / Case8-SMD, Flat Leads
Корпус производителя1206-8 ChipFET™

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)