SI5853CDC-T1-E3

Vishay Siliconix

SI5853CDC-T1-E3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Устаревший8-SMD, Flat LeadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs104mOhm @ 2.5A, 4.5V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds350 pF @ 10 V
ПроизводительVishay Siliconix
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияLITTLE FOOT®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность1.5W (Ta), 3.1W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Корпус производителя1206-8 ChipFET™

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)