Общие
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 7.1A, 4.5V |
|---|---|
| Базовый Part Number | SI4966 |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Статус позиции | Устаревший |
| Серия | TrenchFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |