Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 11A, 10V |
|---|---|
| Базовый Part Number | SI4890 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 5 V |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Статус позиции | Last Time Buy |
| Серия | TrenchFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA (Min) |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 2.5W (Ta) |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
|---|---|
| Корпус производителя | 8-SOIC |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|